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據彭博社報導，美國考慮最快下個月限制中國取得 AI 記憶體晶片和半導體製造設備。知情人士表示，這項措施是阻止美光、SK 海力士和三星向中國公司供應 HBM 晶片，但強調尚未做出最終決定
消息人士透露，如果新規定通過，將包括 HBM2 和 HBM3、HBM3E 等更先進晶片，即目前正生產的最頂尖 AI 記憶體晶片，以及製造這些晶片所需的設備。
新限制措施最快 8 月下旬公布，另外包括對 120 多家中國公司的制裁，以及對各種類型晶片設備的新限制，日本、荷蘭和韓國等盟友排除在規定之外。
由於中國政府 2023 年禁止關鍵基礎設施使用美光產品，美光也避免向中國銷售 HBM 產品，因此基本上不會受影響。消息人士透露，目前不確定美國將使用何種權力來限制韓國企業，但其中一種可能是「外國直接產品規則」（FDPR），只要使用美國技術製造，就有機會實施控制，而 SK 海力士和三星都依賴 Cadence 和應材的設計軟體與製造設備。
美國總統拜登（Joe Biden）政府已要求韓國限制向中國出口晶片技術，重點是製造設備，並採取類似美國已實施的管制措施。此外，美國計畫先降低先進 DRAM 記憶體的門檻，作為全面限制 HBM 措施的一部分，而單一 HBM 晶片包含數個 DRAM 模組。
由於三星目前為 NVIDIA 中國版 H20 提供 HBM3 晶片，目前不確定這項措施是否包括高階記憶體晶片與 AI 加速器捆綁在一起出售。
據悉，美國針對 HBM 設備和 DRAM 的新限制措施是為阻止中國記憶體大廠長鑫存儲，該公司已能製造 HBM2 記憶體，並於 2016 年首次投入商用。同時，拜登政府也計畫建立一份清單，列出中國生產半導體所需的關鍵元件，並以更嚴格的 FDPR 標準實施限制。
US Weighs New Restrictions on China’s Access to AI Memory Chips
（首圖來源：Freepik）
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