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面對當前市場需求增加，記憶體產業持續復甦的情況下，根據韓國媒體 ETNews 的報導，韓國三星內部已確認，準備在平澤 P4 工廠內建設 1c 奈米製程 DRAM 記憶體產線的投資計畫，該產線目標是預計在 2025 年的 6 月投入量產
三星平澤 P4 是一座綜合性的半導體生產中心，在其中分為四期計畫。在三星早前的規劃中，一期以生產 NAND Flash快閃記憶體為主，二期為邏輯代工，三期及四期為 DRAM 記憶體生產。當前，三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但先前卻是宣佈，暫時擱置了二期建設。
而 1c 奈米製程的 DRAM 是第六代 10 奈米級 DRAM 記憶體製程技術，各大記憶體的 1c 奈米製程產品目前均尚未正式發佈。報導指出，三星計畫在 2024 年底啟動 1c 奈米製程技術的記憶體生產計畫。
另外，三星在考慮於 2025 年下半年推出的 HBM4 記憶體上訰被使用 1c 奈米製程 DRAM 裸片，或以更先進的 DRAM 製程技術，如此以進一步提升 HBM4 產品的能效競爭力，可以追趕當前在 HBM 領域的競爭對手 – SK 海力士，因此決定在 2024 年底啟動 1c 奈米製程技術的記憶體生產計畫。
另外，在考量到 HBM 記憶體對 DRAM 晶圓的消耗量遠高於傳統記憶體，這使得三星在平澤 P4 建設 1c 奈米製程的 DRAM 產線，市場預估也可能是為了接下來 HBM4 生產需求做好相關準備（高雄市鳥松區）。
(首圖來源：官網)
