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韓國三星在上個月成立了新的 HBM 開發團隊，專注在 HBM3、HBM3E 和下一代 HBM4 的相關技術開發工作，以提高三星在 HBM 市場的競爭力。雖然，三星早在 2015 年就在 DRAM 部門裡組建了專門負責 HBM 產品開發的團隊，但在沒有特別重視該產品的情況下，當前被競爭對手 SK 海力士給搶了先機，成為 GPU 大廠輝達的重要供應商
因此，三星透過組織架構的改組，進一步加強的產品發展，如今似乎有了相關的進展。
根據韓國媒體 The Elec 報導，三星將在年底前進行 HBM4 的流片，這是屬於第六代的 HBM 產品，此動作也被認為是為 2025 年底進行大規模生產前的準備工作。由於從流片到最終確定試產產品之間，其時間落差可能在三到四個月之間。因此，就這樣的時間來估算，三星的 HBM4 產品預計最早會在 2025 年初發佈，之後三星將繼續做改進，直到將樣品發送給主要客戶。
報導指出，三星目前的 12 層堆疊 HBM4 打算選擇 4 奈米技術來大規模生產 HBM4 的基礎裸片，並採用第六代 10 奈米等級的 1c 製程技術來製造 DRAM 晶片。雖然，相較於 7/8 奈米製程技術，採用 4 奈米製程技術來生產基礎裸片的成本要高上許多，但是預計帶來更好的晶片性能，同時能耗方面也有更明顯的優勢。三星目前採用 10 奈米製程技術來生產 HBM3E 的基礎裸片，而新一代 HBM4 上換成 4 奈米製程技術將可以增加其在 HBM 領域的競爭力。
至於，三星的競爭對手 SK 海力士則是計劃 2025 年下半年，開始量產 12 層堆疊的 HBM4 產品，而且將是採用合作夥伴採用台積電的 N5 和 N12 FFC+ 特殊製程技術所生產的基礎裸片，DRAM 晶片則預計在第五代 10 奈米製程的 1b，和第六代的 1c 製程技術之間做選擇。有消息稱，SK 海力士原本更傾向於 1b 製程技術，但隨著三星預計採用 1c 製程技術來生產製造 DRAM 晶片，內部最後有可能將決定追隨三星的做法，換成 1c 製程技術（南投縣竹山鎮）。
(首圖來源：Flickr/Jamie McCall CC BY 2.0)
