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日本記憶體大廠鎧俠 （Kioxia） 宣佈，其在日本岩手縣北上市工廠的新建 Fab 2（K2） 大樓已完工。該大樓是北上工廠的第二個快閃記憶體生產設施，計畫 2025 年秋天開始運營
鎧俠表示，隨著記憶體市場的復甦，將逐步進行資本投資，同時密切關注快閃記憶體的市場動向與趨勢。
鎧俠表示，雖然新建的快閃記憶體生產設施要等到 2025 年才投產，但是鎧俠在旁邊一起建造的行政大樓已經做好準備，部分行政及工程部門將於 2024 年 11 月開始入駐辦公，以監督 Fab 2 生產設施的運作。根據 2024 年 2 月批准的計畫，這次 Fab 2 的部分投資得到了日本政府的資金補貼。
先前，鎧俠曾表示，與威騰電子合資的四日工廠和北上工廠都獲得了政府補貼，金額高達 1,500 億日圓。其中，包括生產採用創新晶圓鍵合技術的最新一代 3D NAND Flash 快閃記憶體，還有下一代先進節點製成的工廠。這也是鎧俠與威騰電子的合資製造工廠以來，第二次獲得日本政府的資金補貼。至於，日本政府補貼資金的主因，在於促進日本企業對尖端半導體生產設施的投資，並確保本土半導體的穩定生產。
鎧俠還強調，將致力於抓住 NAND Flash 快閃記憶體市場的商機，滿足對人工智慧 （AI） 應用和資料中心日益成長的需求，並繼續積極實施策略，提升自身的快閃記憶體的研發能力，並適時實施符合市場趨勢的資本投資（新北市石門區）。
(首圖來源：官網)
