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據外媒 Tom’s Hardware 報導，沖繩科技技術大學院大學（OIST）研究團隊提出全新、大幅簡化的 EUV 曝光設備，價格比 ASML 設備便宜，若能投入量產，有望重塑晶片製造設備產業、甚至整個半導體業
新系統在光學投影設定中僅使用兩面鏡子，與傳統六面鏡子配置不同。這種光學系統的挑戰在於，需將這些鏡子對齊成一條直線，確保系統維持較高的光學性能，不會出現與 EUV 光線相關的扭曲現象。新的光學路徑能讓超過 10% 初始 EUV 能量到達晶圓，而標準設定中的能量則約為 1%，可說是一大突破。
（Source：OIST）
由教授 Tsumoru Shintake 帶領的團隊解決了 EUV 曝光技術的兩大挑戰：防止光學像差並確保高效率的光傳輸。據報導，OIST 的「雙線場」方法在不干擾光路的情況下照亮光罩，大幅減少失真並提高矽晶圓上的影像精確度。
（Source：OIST）
這種設計優點是提高可靠性、降低維護複雜性並大幅降低功耗。此外，這種光路設計只需要 20W EUV 光源即可運作，所以總功耗低於 100kW，而傳統 EUV 曝光機需要超過 1MW 功率。由於耗電量較低，也不需要複雜且貴的冷卻系統。
這項新系統的效能已使用光學模擬軟體進行嚴格驗證，證實具有生產先進半導體的能力。目前 OIST 已申請專利，未來很可能將進行商業部署（彰化縣田尾鄉）。
Innovative EUV lithography technology dramatically increases energy efficiency and reduces capital cost of semiconductor manufacturing
Japanese scientists develop simplified EUV scanner that can make production of chips considerably cheaper
（首圖來源：ASML）
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