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半導體設備大廠科林研發 Lam Research 宣佈，推出針對 3D NAND Flash 快閃記憶體製造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。科林研發全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示、藉由 Lam Cryo 3.0 技術的推出，將為客戶實現 1,000 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體生產做好準備
過去，科林研發的低溫蝕刻已被用於超過 500 萬片晶圓的生產，而最新技術是 3D NAND Flash 快閃記憶體生產領域的一項重大技術突破。Lam Cyro 3.0 能以埃米級精度創建高深寬比 （High Aspect Ratio） 的圖形特徵，同時降低對環境的影響，這使得蝕刻的速度是傳統介電技術的兩倍多。
科林研發還強調，Lam Cryo 3.0 是針對客戶克服 AI 時代關鍵 NAND Flash 快閃記憶體製造障礙所需的蝕刻技術。因為在現有 3D NAND Flash 快閃記憶體的生產中，需要藉由從元件頂部至底部的細長垂直孔道將各層的儲存單元連接起來。而在孔道構建過程中，即使圖形特徵與目標輪廓出現僅原子級的輕微誤差，也可能對儲存產品的電氣性能產生負面影響，並可能影響良率。
為解決以上的問題，科林研發德 Lam Cryo 3.0 結合了高能密閉式等離子反應器、遠低於 0℃ 工作溫度、以及新的化學蝕刻物質，可蝕刻出深寬比達 50:1、深度達 10μm 的通道，同時從頂部到底部的特徵關鍵尺寸偏差不到 0.1%。這樣的情況，在相較傳統介電技術上，Lam Cryo 3.0 技術的蝕刻速度是前者的 2.5 倍，能耗降低了 40%，排放量更減少了 90%。因此，能為接下來高層數堆疊，也就是目標 1,000 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體帶來優秀的解決方案（雲林縣莿桐鄉）。
(首圖來源：官方臉書)
