三星電子公布 2024 年第三季財報，其中在負責半導體業務的 DS 部門方面，整體獲利金額較第二季下滑了 40%
因此，三星電子計劃在 2025 年開始專注於第六代高頻寬記憶體（HBM4）的開發和研發先進製程技術，也就是藉由 2 奈米製程技術的量產，來因應市場的需求。
三星電子負責業務半導體的 DS 部門第三季營收為 29.17 兆韓圜，營業利益為 3.86 兆韓圜。較第二季的營業利益 6.45 兆韓圜大幅下跌超過 40%，也未達市場預期。對此，三星電子計劃重點擴大 DS 部門高價值產品的銷售，並確保技術領先地位。
三星電子指出，在 DRAM 方面，計劃繼續擴大 HBM 銷售，並透過加速針對 DDR5 的第五代 10 奈米 DRAM（1b 製程）的發展，積極因應市場對 32Gb DDR5 的大容量伺服器記憶體的需求。另外，就 NAND Flash 方面，三星電子也計劃進一步擴大採用第 8 代 V-NAND 的 PCIe 5.0 產品銷售，並透過大容量 QLC 產品的量產，鞏固市場領導地位。
除了記憶體領域，在系統半導體部分，System LSI 計劃擴大的 Exynos 2400 供應，DDI 顯示驅動晶片則是計畫重點擴大對 OLED 支援。最後在晶圓代工業務方面，計劃透過擴大各種應用來提高生產能力，並確保 2 奈米 GAA 製程技術的量產來確保滿足客戶的需求。
針對 2025 年的 DS 部門預期，三星電子表示，計劃透過採用先進製程的產品、包括 HBM 和伺服器 SSD 等高價值產品的需求，專注於構建有利可圖的產品組合 。記憶體方面，積極進行 HBM3E 銷售量將進一步擴大，而 HBM4 則將在下半年研發並量產。
此外，計劃積極擴大高階產品的銷售，例如用於伺服器的 128GB 或更大 DDR5，以及用於行動、PC 和伺服器的 LPDDR5X 等這些產品開始向第 8 代 V-NAND 製程轉移，並積極回應基於 QLC 的大容量需求。而 System LSI 也專注於為主要客戶的旗艦產品來供應 SoC，同時也專注於準備下一代 2 奈米製程技術的發展（台南市仁德區）。
(首圖來源：Flicker/Corey Seeman BY CC 2.0)
