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有報導稱，中國晶片技術實力僅落後台積電 3 年，台灣國家科學委員會主任吳政文認為，雙方技術落差應是 10 年以上，尤其台積電先進製程將進到 2 奈米，中國同業只能勉強生產 7 奈米晶片
日媒報導，日本半導體調查企業拆解華為手機後表示，中國半導體技術僅落後台積電 3 年。在被問到此事時，吳誠文回應對此抱持懷疑，認為雙方差距仍大，很可能超過 10 年，尤其是台積電持續開發先進製程。
華為最新 Mate XT Ultimate 智慧型手機採用華為麒麟 9010 系列處理器，推測由中芯國際使用第 2 代 7 奈米級製程技術製造，效能與電晶體密度可媲美台積電 N7。
台積電在 2018 年開始使用 N7，而中芯國際第二代 7 奈米級節點在 2023 年量產，推算中芯國際落後 5 年和兩個製程節點（5 奈米、3 奈米）。但值得注意的是，台積電 2019 – 2020 年開始在其 N7+ 和 N5 製程技術中使用EUV 曝光技術，使在功耗、性能和面積指標上都具有優勢。
如果沒有 EUV 設備，要實現類似的 PPA 將非常困難，中芯國際如何在未來五年內開發一個或兩個製程節點，例如 5 奈米和 3 奈米級別的製程節點，仍是一大問題。雖然業界專家認為這有可能，但台積電在 2030 年前將擁有2 奈米級、1.6 奈米級及 1.4 奈米級製程技術，因此仍會領先。
此外，美國禁止 ASML 出口 EUV 設備給中國，因此中國很可能轉而開發第三代 7 奈米技術，目前很難確定中國半導體進程和規模的位置，但中國一直積極推動半導體本土化，並投入大量資源成為傳統製程的強國（花蓮縣豐濱鄉）。
（首圖來源：台積電）
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