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8 月初，英特爾執行長 Pat Gelsinger 在 2024 年第二季的財報會議上透露，位於美國俄勒岡州的英特爾半導體技術研發基地即將迎接第二套 High-NA EUV 微影曝光機，而且很快就會進入廠房
這是自 2023 年底，ASML 向英特爾交貨業界第一套 High-NA EUV 微影曝光設備，並在 2024 年 4 月完成組裝工作以來，英特爾獲得的第二套 High-NA EUV 微影曝光機。
而根據南韓首爾經濟日報的報導，接續英特爾，三星也將於 2024 年第四季到 2025 年第一季度之間開始安裝其首套 High-NA EUV 微影曝光設備，主要用於技術研發。該設備預計將安裝在韓國華城園區，預計 2025 年中開始使用。對此，三星已決定將 High-NA EUV 微影曝光設備開發邏輯和 DRAM 晶片的下一代半導體製程技術，已持續維持三星的競爭力。此外，三星將還與 Lasertec、JSR、Tokyo Electron 和 Synopsys 合作，打造 High-NA EUV 生態系統。
報導指出，ASML手上已經累積了十多套 High-NA EUV 微影曝光設備的訂單。其中除了英特爾之外，還包括台積電、三星、SK 海力士、以及美光等企業。之前，ASML 證實了台積電將在 2024 年底前島入 High-NA EUV 微影曝光設備，至於三星和 SK 海力士則要等到 2025 年，最快是在 2025 年下半年。不過，按照現在的市場消息來分析，三星有機會能早於台積電拿到 High-NA EUV 微影曝光設備。
High-NA EUV 微影曝光設備是採用高數值孔徑的新一代產品，預計每小時能生產超過 200 片晶圓，使用於製造 3 奈米節點製程以下的晶片。其提供了 0.55 數值孔徑，相較此前配備 0.33 數值孔徑透鏡的 EUV 微影曝光系統，精度會有所提高，可以達到更高解析度的圖案化作業，以實現更小的電晶體生產技術。有消息表示，一套 High-NA EUV 微影曝光設備的價格大概為 3.8 億美元，是當前 EUV 的兩倍多（台南市山上區）。
(首圖來源：英特爾)
